La tecnologia di ricarica rapida Quick Charge 4.0 è ufficialmente presentata da Qualcomm ed è presente all’interno del nuovo SoC Snapdragon 835. Rispetto al passato, in futuro sarà possibile ottenere con soli 5 minuti di ricarica fino a 5 ore di autonomia, grazie a una maggior velocità di carica, che non dovrebbe danneggiare le batterie dei dispositivi.
Si chiama Quick Charge 4.0 ed è la nuova tecnologia di ricarica super rapida di Qualcomm che sarà presente a bordo del nuovo processore top di gamma Snapdragon 835, il cui annuncio ufficiale sarà il prossimo 3 gennaio 2017.
La principale novità di Quick Charge 4 è quella di essere fino al 20% più veloce rispetto alla versione 3 e il 30% più efficiente. Tutto ciò è possibile tramite tecniche come il Dual Charge, denominata anche ricarica parallela. Ovviamente, affinché possa diventare diffuso tra i produttori di smartphone, cavi e accessori, Quick Charge 4 è compatibile con gli standard USB Type-C e USB-PD.
Di fronte a un’elevata velocità nella ricarica che potrebbe portare a pensare a potenziali danneggiamenti di dispositivi e batteria, vi è INOV 3.0 (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), sistema studiato per permettere al dispositivo, al cavo di ricarica e al caricabatteria di scegliere quale livello corretto di tensione adottare. Così facendo, lo smartphone non è esposto ad eventuali pericoli e grazie a INOV la temperatura del dispositivo viene mantenuta sempre sotto controllo.
La tecnologia Quick Charge 4 la troveremo all’interno di Snapdragon 835, SoC top di gamma sviluppato in collaborazione con Samsung e prodotto con processo produttivo a 10nm, il cui debutto è previsto nei primi giorni del 2017. In particolare, il processo produttivo permetterà di ottenere un incremento del 30% in termini di efficienza e del 27% delle performance, con consumi inferiori del 40%.
